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Datasheet下载- 型号： 1PMT5921BT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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1PMT5921BT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT5921BT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT5921BT1G价格参考。ON Semiconductor1PMT5921BT1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 6.8V 3.2W ±5% 表面贴装 Powermite。您可以下载1PMT5921BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1PMT5921BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE稳压二极管 6.8V 3.2W Powermite |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1PMT5921BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1PMT5921BT1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5.2V |
| 产品种类 | Diodes- Zener |
| 供应商器件封装 | Powermite |
| 其它名称 | 1PMT5921BT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 封装/箱体 | DO-216AA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 2.5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | 1PMT5921B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.8 V |
| 齐纳电流 | 200 mA |
