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1N6373G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6373G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6373G价格参考。ON Semiconductor1N6373G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载1N6373G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N6373G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N6373G 是由 Littelfuse Inc. 生产的一款 TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于 1N63xx 系列。其主要功能是保护电路免受瞬态电压(如静电放电、感应雷击和开关噪声)的损害。以下是该型号的应用场景: 1. 电源线保护 - 1N6373G 可用于低压直流电源电路中,防止因电压瞬变导致的设备损坏。例如,在汽车电子系统或工业控制设备中,它可以保护电源输入端口免受电压尖峰的影响。 2. 信号线路保护 - 在通信设备中,如 RS-232、RS-485 或 CAN 总线接口,1N6373G 能够有效抑制信号线上的瞬态电压,确保数据传输的稳定性和可靠性。 3. 消费类电子产品 - 在手机充电器、USB 接口或其他便携式设备中,该二极管可以保护内部电路免受静电放电(ESD)和浪涌电流的损害。 4. 工业自动化 - 在工业自动化设备中,1N6373G 常用于保护传感器、继电器和其他敏感元件,避免因电磁干扰(EMI)或雷击引起的电压波动。 5. 家用电器 - 在家用电器(如洗衣机、冰箱、空调等)中,这款 TVS 二极管可用于保护控制板上的微处理器和其他关键组件,防止因外部环境变化引起的电压异常。 6. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,1N6373G 可以保护车载音响、导航系统和发动机控制单元(ECU)等模块,避免因点火开关或负载突降引起的电压瞬变。 特性概述: - 反向 standoff 电压 (Vrwm):33V - 峰值脉冲电流 (Ipp):50A - 钳位电压 (Vc):53.3V - 封装形式:DO-41 小型玻璃封装 由于其紧凑的设计和高可靠性,1N6373G 非常适合需要高效电压保护的小型化应用场合。在选择具体应用场景时,需根据电路的工作电压、电流需求以及可能的瞬态电压水平进行合理匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 5VWM 9.4VC AXIALTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.3V 1500W Unidirectional |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1N6373GMosorb™ |
数据手册 | |
产品型号 | 1N6373G |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | - |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N6373G-ND |
击穿电压 | 6 V |
功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
包装 | 散装 |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | DO-201AD,轴向 |
封装/箱体 | DO-201AD |
尺寸 | 5.3 mm Dia. x 9.5 mm L |
峰值浪涌电流 | 10 A |
峰值脉冲功率耗散 | 1.5 kW |
工作温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
工作电压 | 5 V |
工厂包装数量 | 500 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 500 |
电压-击穿(最小值) | 6V |
电压-反向关态(典型值) | 5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 9.4V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | Axial |
类型 | 齐纳 |
系列 | 1N6373-1N6381 |
钳位电压 | 9.4 V |