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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6286AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6286AG价格参考。ON Semiconductor1N6286AG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N6286AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N6286AG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N6286AG 是由 Littelfuse Inc. 生产的一款 TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于 1N 系列。TVS 二极管主要用于保护电子电路免受瞬态电压的损害,例如静电放电(ESD)、电感负载开关和雷击浪涌等。 以下是 1N6286AG 的主要应用场景: 1. 通信设备保护 - 用于保护电话线路、网络接口、调制解调器和其他通信设备中的敏感元件。 - 抑制由于信号线上的瞬态电压(如雷击或电磁干扰)引起的过压现象。 2. 消费电子产品 - 在电视、音响系统、家用电器中,防止因电源波动或外部干扰导致的损坏。 - 保护 USB 接口、HDMI 接口等数据传输端口免受 ESD 损害。 3. 汽车电子 - 应用于车载电子系统,如 CAN 总线、LIN 总线和传感器接口。 - 防止汽车点火系统或电机启动时产生的瞬态电压对控制模块的影响。 4. 工业自动化 - 在 PLC(可编程逻辑控制器)、继电器、传感器和工业通信总线中提供过压保护。 - 保护伺服驱动器和变频器中的输入/输出端口。 5. 电源管理 - 用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,防止输入电压瞬变对电源芯片的损害。 - 在电池管理系统(BMS)中保护关键组件。 6. 医疗设备 - 在便携式医疗设备(如血压计、血糖仪)中,防止 ESD 和其他瞬态电压对精密电路的影响。 - 确保患者监护设备的稳定性和安全性。 7. 军事与航空航天 - 在极端环境下保护关键电子设备,例如卫星通信、雷达系统和导航设备。 - 提供高可靠性保护以应对复杂的电磁环境。 技术特点: - 快速响应时间:能够迅速钳位瞬态电压,保护后级电路。 - 高浪涌能力:承受较大的瞬态电流而不损坏。 - 低电容设计:减少对信号完整性的干扰,适用于高速数据线。 总之,1N6286AG 广泛应用于需要过压保护的各种电子设备中,确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC AXIALTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 43V 1500W Unidirectional |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1N6286AGMosorb™ |
数据手册 | |
产品型号 | 1N6286AG |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | - |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N6286AGOS |
击穿电压 | 43 V |
功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
包装 | 散装 |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | DO-201AD,轴向 |
封装/箱体 | DO-201AD |
尺寸 | 5.3 mm Dia. x 9.5 mm L |
峰值浪涌电流 | 25.3 A |
峰值脉冲功率耗散 | 1.5 kW |
工作温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
工作电压 | 36.8 V |
工厂包装数量 | 500 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 500 |
电压-击穿(最小值) | 40.9V |
电压-反向关态(典型值) | 36.8V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 59.3V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | Axial |
类型 | 齐纳 |
系列 | 1N6267A |
钳位电压 | 59.3 V |