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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6283AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6283AG价格参考。ON Semiconductor1N6283AG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N6283AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N6283AG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC AXIALTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 1500W Unidirectional |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1N6283AGMosorb™ |
数据手册 | |
产品型号 | 1N6283AG |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | - |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N6283AGOS |
击穿电压 | 33 V |
功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
包装 | 散装 |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | DO-201AD,轴向 |
封装/箱体 | DO-201AD |
尺寸 | 5.3 mm Dia. x 9.5 mm L |
峰值浪涌电流 | 33 A |
峰值脉冲功率耗散 | 1.5 kW |
工作温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
工作电压 | 28.2 V |
工厂包装数量 | 500 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 500 |
电压-击穿(最小值) | 31.4V |
电压-反向关态(典型值) | 28.2V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 45.7V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | Axial |
类型 | 齐纳 |
系列 | 1N6267A |
钳位电压 | 45.7 V |