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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5999B由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5999B价格参考。Fairchild Semiconductor1N5999B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5999B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5999B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5999B是一种瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电路免受瞬时高电压冲击和静电放电(ESD)的损害。它具有快速响应时间和低箝位电压特性,能够在微秒甚至纳秒级别内将过电压箝制在安全范围内,从而保护敏感的电子元件。 应用场景: 1. 电源线保护: 1N5999B常用于交流或直流电源输入端,防止雷击、感应电压等引起的过电压对电源电路造成损坏。它可以有效抑制电网中的瞬变电压,确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 信号线保护: 在通信设备、工业控制、消费电子产品中,信号传输线容易受到外部电磁干扰和静电的影响。1N5999B可以安装在信号线上,保护接口芯片和其他敏感元件免受ESD和瞬态电压的破坏。 3. 数据通信端口保护: 对于USB、RS-232、RS-485等数据通信接口,1N5999B能够提供有效的ESD防护,避免因静电放电导致的数据传输错误或接口损坏。它还可以保护其他高速数据总线,如HDMI、DisplayPort等。 4. 汽车电子系统: 汽车环境中存在大量的电气噪声和瞬态电压,特别是在启动发动机或使用大功率电器时。1N5999B可用于汽车的传感器、控制器、通信模块等关键部位,确保这些设备在恶劣环境下正常工作。 5. 家用电器和消费电子: 在电视机、音响、电脑等家用电器中,1N5999B可以保护内部电路免受外界环境因素的影响,如插拔电源时产生的电压尖峰或用户操作不当引起的静电放电。 6. 工业自动化设备: 工业现场通常有复杂的电磁环境,1N5999B可以帮助保护PLC、变频器、伺服驱动器等设备的关键电路,提高系统的抗干扰能力和稳定性。 总之,1N5999B作为一种高效的瞬态电压抑制器件,广泛应用于各种需要保护电路免受瞬态电压和静电放电影响的场合,确保电子设备的安全可靠运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35稳压二极管 Zener Diode |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N5999B- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5999B |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 7V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-35 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 散装 |
单位重量 | 126 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 1000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 5 % |
系列 | 1N5999B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
齐纳电压 | 9.1 V |
齐纳电流 | 55 mA |