ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > 1N5999B
Datasheet下载- 型号： 1N5999B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5999B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5999B价格参考。Fairchild Semiconductor1N5999B封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5999B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5999B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35稳压二极管 Zener Diode |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N5999B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5999B |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 7V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 126 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | 1N5999B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.1 V |
| 齐纳电流 | 55 mA |
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