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  • 型号: 1N5921BG
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5921BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5921BG价格参考。ON Semiconductor1N5921BG封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 3W ±5% Through Hole Axial。您可以下载1N5921BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5921BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5921BG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其典型应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - 1N5921BG 的齐纳击穿电压为 6.8V,适合用于电路中的电压稳压功能。通过将齐纳二极管反向连接到电路中,可以确保输出电压稳定在 6.8V 左右,适用于低功率电子设备的电源稳压。

 2. 过压保护
   - 在敏感电路中,1N5921BG 可用作过压保护器件。当输入电压超过 6.8V 时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而保护后续电路免受过高电压的损害。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中,1N5921BG 可用于限制信号电压幅值。例如,在音频或传感器信号电路中,它可以防止信号电压超出预定范围,从而避免失真或损坏。

 4. 基准电压源
   - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,1N5921BG 可作为基准电压源使用。它常与运算放大器配合,生成精确的参考电压。

 5. 电源监控电路
   - 在电源监控应用中,1N5921BG 可用于检测电源电压是否低于或高于设定值。结合比较器电路,可以实现电源状态报警或关断功能。

 6. ESD 防护
   - 虽然齐纳二极管的主要功能不是 ESD 防护,但 1N5921BG 可以在某些情况下快速响应静电放电事件,保护敏感元件。

 特性总结:
   - 击穿电压:6.8V
   - 功耗:约 500mW(具体取决于封装)
   - 封装形式:DO-35(玻璃封装)
   - 温度范围:-55°C 至 +150°C

这款齐纳二极管广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,特别是在需要简单、可靠且低成本的电压调节和保护解决方案的场景中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 6.8V 3W AXIAL稳压二极管 6.8V 3W

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5921BG-

数据手册

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产品型号

1N5921BG

PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.5V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 5.2V

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

轴向

其它名称

1N5921BG-ND
1N5921BGOS

功率-最大值

3W

功率耗散

3 W

包装

散装

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

容差

±5%

封装

Bulk

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

封装/箱体

DO-41

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

2000

最大反向漏泄电流

5 uA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

2.5 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

2,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.8V

电压容差

5 %

系列

1N5921B

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

齐纳电压

6.8 V

齐纳电流

220 mA

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