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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5921BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5921BG价格参考。ON Semiconductor1N5921BG封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 3W ±5% Through Hole Axial。您可以下载1N5921BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5921BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5921BG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其典型应用场景如下: 1. 电压稳压 - 1N5921BG 的齐纳击穿电压为 6.8V,适合用于电路中的电压稳压功能。通过将齐纳二极管反向连接到电路中,可以确保输出电压稳定在 6.8V 左右,适用于低功率电子设备的电源稳压。 2. 过压保护 - 在敏感电路中,1N5921BG 可用作过压保护器件。当输入电压超过 6.8V 时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而保护后续电路免受过高电压的损害。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,1N5921BG 可用于限制信号电压幅值。例如,在音频或传感器信号电路中,它可以防止信号电压超出预定范围,从而避免失真或损坏。 4. 基准电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,1N5921BG 可作为基准电压源使用。它常与运算放大器配合,生成精确的参考电压。 5. 电源监控电路 - 在电源监控应用中,1N5921BG 可用于检测电源电压是否低于或高于设定值。结合比较器电路,可以实现电源状态报警或关断功能。 6. ESD 防护 - 虽然齐纳二极管的主要功能不是 ESD 防护,但 1N5921BG 可以在某些情况下快速响应静电放电事件,保护敏感元件。 特性总结: - 击穿电压:6.8V - 功耗:约 500mW(具体取决于封装) - 封装形式:DO-35(玻璃封装) - 温度范围:-55°C 至 +150°C 这款齐纳二极管广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,特别是在需要简单、可靠且低成本的电压调节和保护解决方案的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 3W AXIAL稳压二极管 6.8V 3W |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5921BG- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5921BG |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5.2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N5921BG-ND |
功率-最大值 | 3W |
功率耗散 | 3 W |
包装 | 散装 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
封装/箱体 | DO-41 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2000 |
最大反向漏泄电流 | 5 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 2.5 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 2,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
电压容差 | 5 % |
系列 | 1N5921B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 2.5 欧姆 |
齐纳电压 | 6.8 V |
齐纳电流 | 220 mA |