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1N5821G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5821G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5821G价格参考。ON Semiconductor1N5821G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 30V 3A DO-201AD。您可以下载1N5821G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5821G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5821G是由ON Semiconductor生产的肖特基整流二极管,属于二极管 - 整流器 - 单这一类别。该型号的二极管具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,使其在多种应用场景中表现出色。 应用场景: 1. 电源转换: 1N5821G常用于开关电源(SMPS)中的整流部分。由于其低正向压降(典型值为0.4V),它能够有效减少功率损耗,提高电源效率。特别适用于低压、大电流的应用场合,如笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源电路。 2. 逆变器和DC-DC转换器: 在逆变器和DC-DC转换器中,1N5821G可以作为同步整流器或续流二极管使用。其快速恢复特性有助于减少开关损耗,提升系统的整体性能。此外,它还可以用于光伏逆变器中的直流侧保护,防止反向电流对电池或其他元件造成损害。 3. 电机驱动: 对于小型电机驱动电路,1N5821G可以用作续流二极管,确保电机绕组在关断时产生的反电动势得到有效抑制,避免损坏其他电路元件。其快速响应速度使得它在高频开关应用中表现尤为出色。 4. 电池充电与保护电路: 在电池充电电路中,1N5821G可以防止电池过充或反接,起到保护作用。它的低正向压降有助于减少充电过程中的能量损失,延长电池寿命。同时,在多节电池串联的系统中,它可以用于平衡各节电池之间的电压差。 5. 信号隔离与保护: 1N5821G还可以用于信号隔离电路中,防止不同电位的信号之间相互干扰。例如,在工业自动化控制系统中,它可以用作输入输出接口的保护元件,确保信号传输的稳定性和可靠性。 总之,1N5821G凭借其低正向压降和快速恢复时间的优势,广泛应用于各种需要高效整流和保护的电路中,特别是在低压、大电流以及高频开关的应用场合中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD肖特基二极管与整流器 3A 30V |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor 1N5821G- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5821G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 3A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2mA @ 30V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Diodes |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | DO-201AD |
其它名称 | 1N5821G-ND |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | DO-201AA,DO-27,轴向 |
封装/箱体 | DO-201AD |
峰值反向电压 | 30 V |
工作温度-结 | -65°C ~ 125°C |
工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
工厂包装数量 | 500 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 2000 uA |
最大工作温度 | + 125 C |
最大浪涌电流 | 80 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 500 |
正向电压下降 | 0.9 V at 9.4 A |
正向连续电流 | 3 A |
热阻 | 28°C/W Ja |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 30V |
电流-平均整流(Io) | 3A |
系列 | 1N5821 |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single |