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  • 型号: 1N5821G
  • 制造商: ON Semiconductor
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1N5821G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5821G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5821G价格参考。ON Semiconductor1N5821G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 30V 3A DO-201AD。您可以下载1N5821G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5821G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5821G 是一种肖特基二极管,具有低正向电压降和快速开关特性。它广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要高效整流、保护和信号处理的场合。以下是其主要应用场景:

 1. 电源整流
1N5821G 常用于低压电源电路中的整流器,尤其适用于输出电压较低的电源设计。由于其低正向压降(通常为0.3V左右),能够减少功率损耗,提高电源效率。例如,在太阳能电池板或小型直流电源系统中,使用1N5821G可以有效降低发热,延长设备寿命。

 2. 反向电压保护
在一些电路中,防止电源极性接反是非常重要的。1N5821G可以用作反向电压保护二极管,当电源极性接反时,二极管会阻止电流通过,从而保护后续电路免受损坏。这种应用常见于便携式设备、传感器模块等。

 3. 续流二极管
在开关电源、电机驱动电路和电感负载电路中,1N5821G可用作续流二极管。当电感元件中的电流突然中断时,二极管提供一个路径让电流继续流动,避免产生过高的反电动势,从而保护电路中的其他元件。例如,在继电器驱动电路或LED驱动电路中,1N5821G可以有效吸收电感元件产生的反向电压。

 4. 高频开关应用
由于1N5821G的快速开关特性,它也适用于高频开关电路。在开关电源、DC-DC转换器等高频电路中,肖特基二极管的快速响应时间可以减少开关损耗,提高电路效率。此外,它的低反向恢复时间使得它在高频整流和逆变电路中表现出色。

 5. 钳位电路
在某些情况下,电路中的电压可能会超过预定范围,导致元件损坏。1N5821G可以用作钳位二极管,将电压限制在安全范围内。例如,在RS-232通信接口中,使用1N5821G可以防止静电放电(ESD)或其他瞬态电压对电路造成损害。

 6. 太阳能光伏系统
在太阳能光伏系统中,1N5821G常用于旁路二极管。当某个太阳能电池板受到阴影遮挡时,旁路二极管会导通,避免整个光伏阵列的输出功率大幅下降,确保系统的稳定性和效率。

总之,1N5821G凭借其低正向压降、快速开关特性和高可靠性,广泛应用于电源管理、保护电路、高频开关等多个领域,特别适合对效率和响应速度有较高要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD肖特基二极管与整流器 3A 30V

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor 1N5821G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

1N5821G

不同If时的电压-正向(Vf)

500mV @ 3A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2mA @ 30V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Diodes

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

DO-201AD

其它名称

1N5821G-ND
1N5821GOS

包装

散装

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

DO-201AA,DO-27,轴向

封装/箱体

DO-201AD

峰值反向电压

30 V

工作温度-结

-65°C ~ 125°C

工作温度范围

- 65 C to + 125 C

工厂包装数量

500

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

2000 uA

最大工作温度

+ 125 C

最大浪涌电流

80 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

正向电压下降

0.9 V at 9.4 A

正向连续电流

3 A

热阻

28°C/W Ja

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)

3A

系列

1N5821

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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