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  • 型号: 1N5711W-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5711W-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5711W-7-F价格参考。Diodes Inc.1N5711W-7-F封装/规格:二极管 - 射频, RF Diode Schottky - Single 70V 15mA 333mW SOD-123。您可以下载1N5711W-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5711W-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123肖特基二极管与整流器 70V 250mW

产品分类

RF 二极管分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated 1N5711W-7-F-

数据手册

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产品型号

1N5711W-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 If、F时的电阻

-

不同 Vr、F时的电容

2pF @ 0V,1MHz

二极管类型

肖特基 - 单

产品

Schottky Diodes

产品目录页面

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOD-123

其它名称

1N5711W-FDITR
1N5711W7F

其它图纸

功率耗散(最大值)

333mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123

封装/箱体

SOD-123

峰值反向电压

70 V

工作温度范围

- 55 C to + 125 C

工厂包装数量

3000

恢复时间

1 ns

技术

Silicon

最大功率耗散

333 mW

最大反向漏泄电流

0.2 uA at 50 V

最大工作温度

+ 125 C

最大浪涌电流

0.001 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向电压下降

1 V

正向连续电流

0.015 A

电压-峰值反向(最大值)

70V

电流-最大值

15mA

系列

1N5711W

配置

Single

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