ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > 1N5341BE3
Datasheet下载- 型号： 1N5341BE3
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5341BE3由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5341BE3价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5341BE3封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole T-18。您可以下载1N5341BE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5341BE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5341BE3 是由 Microsemi Corporation 生产的单齐纳二极管，其主要应用场景包括： 1. 电压稳压 1N5341BE3 常用于需要稳定电压的电路中。齐纳二极管在反向击穿区工作时，能够保持输出电压的稳定性，适用于为敏感电子元件提供稳定的参考电压。例如，在电源电路中，它可以用于稳压部分，确保输出电压不受输入电压波动的影响。 2. 过压保护 在电源或信号线路上，可能会出现瞬态过电压的情况，如雷击、静电放电等。1N5341BE3 可以用作过压保护器件，当电压超过设定值时，齐纳二极管导通，将多余的电压泄放到地，从而保护后续电路免受损坏。 3. 电压钳位 在模拟电路和数字电路中，有时需要对信号进行钳位处理，防止信号超出允许的范围。1N5341BE3 可以作为电压钳位元件，将信号电压限制在一定的范围内，避免信号失真或损坏电路中的其他元件。 4. 参考电压源 齐纳二极管可以提供一个相对稳定的参考电压，用于比较器、运算放大器等电路中。1N5341BE3 的稳压特性使其成为一个可靠的参考电压源，尤其适用于精度要求较高的场合。 5. 浪涌吸收 在一些工业应用中，电力系统可能会产生较大的电压浪涌。1N5341BE3 可以用于吸收这些浪涌能量，防止它们对敏感设备造成损害。它能够在短时间内承受较高的功率，迅速将多余的能量释放出去。 6. 温度补偿 齐纳二极管的稳压性能会受到温度变化的影响。1N5341BE3 可以与其他温度补偿元件配合使用，减少温度对稳压效果的影响，确保电路在不同环境温度下仍能保持良好的性能。 总之，1N5341BE3 作为一种常见的齐纳二极管，广泛应用于各种需要稳压、保护和钳位功能的电路中，特别是在电源管理、信号处理和保护电路设计中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 5W T18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N5341BE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 其它名称 | 1N5341BE3MSCT |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1 欧姆 |
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