ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > 1N5333BG
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5333BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5333BG价格参考。ON Semiconductor1N5333BG封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.3V 5W ±5% Through Hole Axial。您可以下载1N5333BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5333BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5333BG是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压 - 1N5333BG的齐纳击穿电压为36V,适合用作电压稳压器。在电源电路中,它可以将输出电压稳定在特定值,确保后级电路的正常工作。 - 应用于低功率电子设备中的电压调节,如传感器供电、小型信号处理模块等。 2. 过压保护 - 在电路中,1N5333BG可以用作过压保护元件。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管导通,将多余电压泄放到地,保护敏感器件。 - 常见于通信接口、模拟信号输入端口和电源输入端的保护电路。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,1N5333BG可以用来限制信号的幅值,防止信号超出允许范围。 - 例如,在音频电路或射频电路中,用于削波或钳位信号。 4. 参考电压源 - 利用齐纳二极管的稳定电压特性,1N5333BG可以作为简单的参考电压源,为比较器、运算放大器等提供基准电压。 - 适用于需要较低精度参考电压的场合。 5. 浪涌抑制 - 在电源输入或长线传输电路中,1N5333BG可用于吸收瞬态电压浪涌,保护后续电路免受损害。 - 例如,用于工业控制设备、家用电器的输入保护。 注意事项 - 1N5333BG的最大耗散功率为5W,因此适用于中低功率应用。 - 使用时需注意散热设计,避免因过热导致性能下降或损坏。 - 确保工作电流在齐纳二极管的额定范围内,以保证稳定性和可靠性。 总之,1N5333BG是一款通用型齐纳二极管,广泛应用于各种需要电压稳压、保护和参考的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL稳压二极管 3.3V 5W |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5333BG- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5333BG |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 300µA @ 1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N5333BG-ND |
功率-最大值 | 5W |
功率耗散 | 5 W |
包装 | 散装 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | T-18,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 1000 |
最大反向漏泄电流 | 300 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 3 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
电压容差 | 5 % |
电压调节准确度 | 850 mV |
系列 | 1N53 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 3 欧姆 |
齐纳电压 | 3.3 V |
齐纳电流 | 1.44 A |