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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5222B-T由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5222B-T价格参考。Diodes Inc.1N5222B-T封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 2.5V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5222B-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5222B-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的1N5222B-T是一种单齐纳二极管,广泛应用于各种电路中。它具有稳定的反向击穿电压特性,通常用于稳压、参考电压、过压保护和信号箝位等场合。 1. 稳压电路 1N5222B-T的典型应用之一是作为稳压元件。它可以在电源电路中提供一个稳定的参考电压,确保负载两端的电压保持恒定。例如,在线性稳压器或开关电源的设计中,1N5222B-T可以与运算放大器或其他控制电路配合使用,以实现精确的电压调节。 2. 过压保护 该型号的齐纳二极管还可以用于保护敏感电子设备免受瞬态过压的影响。在输入端或电源线上安装1N5222B-T,当电压超过其设定的击穿电压时,二极管会导通并分流多余的电流,从而保护后级电路不受损害。这种保护机制常用于传感器、通信接口和微控制器等设备中。 3. 信号箝位 在模拟信号处理中,1N5222B-T可以用作信号箝位二极管。通过将信号限制在一个特定的电压范围内,它可以防止信号超出预定范围,避免失真或损坏后续的放大器或ADC(模数转换器)。例如,在音频电路中,它可以用来防止过大的输入信号导致削波失真。 4. 参考电压源 由于其稳定的击穿电压特性,1N5222B-T也可以用作简单的参考电压源。虽然它的精度不如专用的基准电压芯片,但在某些对精度要求不高的场合,如温度补偿电路或简单的比较器电路中,它是一个经济且有效的选择。 总结 1N5222B-T作为一种常见的齐纳二极管,凭借其稳定的反向击穿电压特性,在稳压、过压保护、信号箝位和参考电压源等方面有着广泛的应用。它不仅适用于低功耗的小型电路,也能在较为复杂的电源管理和保护电路中发挥作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35稳压二极管 500MW 2.5V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated 1N5222B-T- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5222B-T |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 1V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-35 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 100 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.5V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | - 0.085 %/C |
系列 | 1N5222 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 30 欧姆 |
齐纳电压 | 2.5 V |