【二极管 - 齐纳 - 单_1N4749A-TAP】封装/厂家_1N4749A-TAP中文资料_价格

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型号： 1N4749A-TAP
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供1N4749A-TAP由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4749A-TAP价格参考。Vishay1N4749A-TAP封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 24V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)。您可以下载1N4749A-TAP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N4749A-TAP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N4749A-TAP 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管系列。其主要应用场景如下：

 1. 电压稳压
   - 1N4749A-TAP 的齐纳击穿电压为 27V（典型值），常用于电路中提供稳定的参考电压。例如，在电源电路中，它可以与电阻串联后连接到输入电压，确保输出端的电压稳定在 27V 左右。

 2. 过压保护
   - 在敏感电子设备中，该齐纳二极管可用于防止过高电压损坏后续电路。当输入电压超过齐纳电压时，二极管导通并将多余的能量通过自身泄放，从而保护下游器件。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中，1N4749A-TAP 可用于限制信号幅度，将信号电平钳位到特定范围。例如，在音频或通信电路中，它可以防止信号过载或失真。

 4. 电源基准电压源
   - 由于其稳定的齐纳电压特性，1N4749A-TAP 被广泛用作简单而可靠的基准电压源，适用于低精度要求的应用场景，如简易线性稳压器或比较器电路。

 5. 浪涌抑制
   - 在瞬态电压抑制（TVS）应用中，该齐纳二极管可以吸收短暂的电压尖峰，保护电路免受雷击、开关噪声或其他瞬态事件的影响。

 6. 电池充电保护
   - 在电池充电电路中，1N4749A-TAP 可用于监控和限制充电电压，避免电池过充，延长电池寿命。

 注意事项：
- 使用时需注意功率限制（最大耗散功率为 500mW），以避免因过热导致失效。
- 需根据实际工作电流选择合适的限流电阻，确保齐纳二极管工作在其额定范围内。

总之，1N4749A-TAP 因其性能可靠、成本低廉，广泛应用于各种需要稳压、保护和信号调节的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE ZENER 1300MW 24V DO41稳压二极管 24 Volt 1.3 Watt
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N4749A-TAP-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	1N4749A-TAP1N4749A-TAP
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	5µA @ 18.2V
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	DO-41（DO-204AL）
功率-最大值	1.3W
功率耗散	1.3 W
包装	带盒（TB）
商标	Vishay Semiconductors
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
容差	±5%
封装	Ammo Pack
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
封装/箱体	DO-41
工作温度	175°C
工厂包装数量	5000
最大反向漏泄电流	5 uA
最大工作温度	+ 175 C
最大齐纳阻抗	25 Ohms
最小工作温度	- 65 C
标准包装	5,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	24V
电压容差	5 %
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	25 欧姆
齐纳电压	24 V
齐纳电流	38 mA

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