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1N4003G-T产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4003G-T由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4003G-T价格参考。Diodes Inc.1N4003G-T封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 标准 通孔 二极管 200V 1A DO-41。您可以下载1N4003G-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4003G-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated品牌的1N4003G-T是一款通用硅整流二极管,属于1N400X系列。其主要应用场景包括但不限于以下方面: 1. 电源整流 - 1N4003G-T常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC)的整流电路中。例如,在开关电源、线性电源或简单的桥式整流器中,该二极管可以作为单个整流元件或与多个二极管组合使用。 - 其额定峰值反向电压为200V,适合低至中等电压的整流应用。 2. 保护电路 - 在电路设计中,1N4003G-T可以用作保护二极管,防止感性负载(如继电器、电机等)断开时产生的反向电动势损坏其他器件。 - 例如,在继电器驱动电路中,它可以用作“续流二极管”,吸收感性负载的能量,避免电压尖峰对晶体管或其他元件造成损害。 3. 浪涌保护 - 由于其较高的反向电压承受能力(200V),1N4003G-T适用于需要抑制瞬态电压的应用场景,例如在电源输入端防止电压浪涌。 4. 逆向电流阻断 - 在太阳能电池板或电池组中,1N4003G-T可以用作防逆流二极管,防止电流从负载回流到电源,从而保护设备或电池免受损坏。 5. 信号隔离 - 在某些低频信号电路中,该二极管可用于信号隔离,确保信号单向传输,同时防止干扰或反馈。 性能特点: - 额定正向电流:1A - 峰值反向电压:200V - 正向压降:约1V(典型值) - 反向恢复时间较长(约30μs),因此不适合高频开关应用。 注意事项: - 1N4003G-T不适合高频或高速开关应用,应选择更快的肖特基二极管或快速恢复二极管。 - 在实际应用中,需根据电路的工作电压和电流选择合适的二极管型号,以确保安全可靠运行。 总之,1N4003G-T是一款经济实惠且性能稳定的通用整流二极管,广泛应用于低频、中低压场景下的整流、保护和隔离功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE GEN PURPOSE 200V 1A DO41整流器 1.0A 200V |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Diodes Incorporated 1N4003G-T- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N4003G-T |
PCN组件/产地 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 1A |
不同 Vr、F时的电容 | 8pF @ 4V,1MHz |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 200V |
二极管类型 | 标准 |
产品 | Standard Recovery Rectifiers |
产品目录页面 | |
产品种类 | 整流器 |
供应商器件封装 | DO-41 |
其它名称 | 1N4003GCT |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | 2µs |
反向电压 | 200 V |
反向电流IR | 5 uA |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
封装/箱体 | DO-41 |
工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
工厂包装数量 | 5000 |
恢复时间 | 2000 ns |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 30 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 1 V |
正向连续电流 | 1 A |
热阻 | 100°C/W Ja |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 200V |
电流-平均整流(Io) | 1A |
系列 | 1N4003 |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single |