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Datasheet下载- 型号： 1N3889
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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1N3889产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE FAST REC 50V 12A DO4 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N3889 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.4V @ 12A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | DO-4 |
| 其它名称 | 1242-1048 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 200ns |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-203AA，DO-4，接线柱 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 5 |
| 热阻 | 2.5°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 50V |
| 电流-平均整流(Io) | 12A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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1N3889 thru 1N3893R Silicon Fast V = 50 V - 400 V RRM Recovery Diode I = 12 A F Features • High Surge Capability DO-4 Package • Types up to 400 V V RRM • Not ESD Sensitive A C Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. C A 3. Stud is base. Stud Stud (R) Maximum ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed) j Parameter Symbol Conditions 1N3889 (R) 1N3890 (R) 1N3891 (R) 1N3892 (R) 1N3893 (R) Unit Repetitive peak reverse V 50 100 200 300 400 V voltage RRM RMS reverse voltage V 35 70 140 280 420 V RMS DC blocking voltage V 50 100 200 400 600 V DC Continuous forward current I T ≤ 100 °C 12 12 12 12 12 A F C Surge non-repetitive forward I T = 25 °C, t = 8.3 ms 90 90 90 90 90 A current, Half Sine Wave F,SM C p Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions 1N3889 (R) 1N3890 (R) 1N3891 (R) 1N3892 (R) 1N3893 (R) Unit Diode forward voltage V I = 12 A, T = 25 °C 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 V F F j V = 50 V, T = 25 °C 25 25 25 25 25 μA Reverse current I R j R V = 50 V, T = 150 °C 6 6 6 6 6 mA R j Recovery Time Maximum reverse recovery T IF=0.5 A, IR=1.0 A, 200 200 200 200 200 nS time RR I = 0.25 A RR Thermal characteristics Thermal resistance, junction R 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 °C/W - case thJC 1 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n3889.pdf M DO- 4 (DO-203AA) J P D G B N C E F A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 10-32 UNF B 0.424 0.437 10.77 11.10 C ----- 0.505 ----- 12.82 D ------ 0.800 ----- 20.30 E 0.453 0.492 11.50 12.50 F 0.114 0.140 2.90 3.50 G ----- 0.405 ----- 10.29 J ----- 0.216 ----- 5.50 M ----- φ0.302 ----- φ7.68 N 0.031 0.045 0.80 1.15 P 0.070 0.79 1.80 2.00
A C C A Stud Stud (R) 1N3889 thru 1N3893R 2 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n3889.pdf M DO- 4 (DO-203AA) J P D G B N C E F A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 10-32 UNF B 0.424 0.437 10.77 11.10 C ----- 0.505 ----- 12.82 D ------ 0.800 ----- 20.30 E 0.453 0.492 11.50 12.50 F 0.114 0.140 2.90 3.50 G ----- 0.405 ----- 10.29 J ----- 0.216 ----- 5.50 M ----- φ0.302 ----- φ7.68 N 0.031 0.045 0.80 1.15 P 0.070 0.79 1.80 2.00
A C C A Stud Stud (R) 1N3889 thru 1N3893R Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. M DO- 4 (DO-203AA) J P D G B N C E F A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 10-32 UNF B 0.424 0.437 10.77 11.10 C ----- 0.505 ----- 12.82 D ------ 0.800 ----- 20.30 E 0.453 0.492 11.50 12.50 F 0.114 0.140 2.90 3.50 G ----- 0.405 ----- 10.29 J ----- 0.216 ----- 5.50 M ----- φ0.302 ----- φ7.68 N 0.031 0.045 0.80 1.15 P 0.070 0.79 1.80 2.00 3 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n3889.pdf