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  • 型号: 1N1199AR
  • 制造商: GeneSiC Semiconductor
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1N1199AR产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE GEN PURPOSE 50V 12A DO4整流器 50V 12A REV Leads Std. Recovery

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

GeneSiC Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,整流器,GeneSiC Semiconductor 1N1199AR-

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产品型号

1N1199AR

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 12A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 50V

二极管类型

标准型, 反极性

产品

Standard Recovery Rectifiers

产品种类

整流器

供应商器件封装

DO-4

其它名称

1242-1028

包装

散装

反向恢复时间(trr)

-

反向电压

50 V

反向电流IR

10 uA

商标

GeneSiC Semiconductor

安装类型

底座,接线柱安装

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

DO-203AA,DO-4,接线柱

封装/箱体

DO-4

工作温度-结

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

5

最大浪涌电流

240 A

标准包装

5

正向电压下降

1.1 V

正向连续电流

12 A

热阻

2°C/W Jc

电压-DC反向(Vr)(最大值)

50V

电流-平均整流(Io)

12A

系列

1N1199

速度

标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

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1N1199A thru 1N1206AR Silicon Standard V = 50 V - 600 V RRM Recovery Diode I = 12 A F Features • High Surge Capability DO-4 Package • Types from 50 V to 600 V V RRM • Not ESD Sensitive Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. Maximum ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified j Parameter Symbol Conditions 1N1199A(R) 1N1200A(R) 1N1202A(R) 1N1204A(R) 1N1206A(R) Unit Repetitive peak reverse VV 5500 110000 220000 440000 660000 VV voltage RRM RMS reverse voltage V 35 70 140 280 420 V RMS DC blocking voltage V 50 100 200 400 600 V DC Continuous forward current I T ≤ 150 °C 12 12 12 12 12 A F C Surge non-repetitive forward I T = 25 °C, t = 8.3 ms 240 240 240 240 240 A current, Half Sine Wave F,SM C p Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions 1N1199A(R) 1N1200A(R) 1N1202A(R) 1N1204A(R) 1N1206A(R) Unit Diode forward voltage V I = 12 A, T = 25 °C 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 V F F j V = 50 V, T = 25 °C 10 10 10 10 10 μA Reverse current I R j R V = 50 V, T = 175 °C 15 15 15 15 15 mA R j Thermal characteristics Thermal resistance, junction - R 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 °C/W case thJC 1 Feb 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/

1N1199A thru 1N1206AR 2 Feb 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/

1N1199A thru 1N1206AR Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. M DO- 4 (DO-203AA) J P D G B N C E F A Inches Millimeters Min Max Min Max A 10-32 UNF B 0.424 0.437 10.77 11.10 C ----- 0.505 ----- 12.82 D ------ 0.800 ----- 20.30 E 0.453 0.492 11.50 12.50 F 0.114 0.140 2.90 3.50 G ----- 0.405 ----- 10.29 J ----- 0.216 ----- 5.50 M ----- φ0.302 ----- φ7.68 N 0.031 0.045 0.80 1.15 P 0.070 0.79 1.80 2.00 3 Feb 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: G eneSiC Semiconductor: 1N1202A 1N1204AR 1N1200AR 1N1206AR 1N1206A 1N1200A 1N1204A 1N1199AR 1N1202AR