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Datasheet下载- 型号： 1N1184
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品参数
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURPOSE 100V 35A DO5整流器 100V 35A Std. Recovery |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
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| 产品图片 |   |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,GeneSiC Semiconductor 1N1184- |
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| 产品型号 | 1N1184 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 35A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-5 |
| 其它名称 | 1242-1013 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 100 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 安装风格 | Stud |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-5 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 工厂包装数量 | 5 |
| 最大浪涌电流 | 595 A |
| 标准包装 | 5 |
| 正向电压下降 | 1.1 V |
| 正向连续电流 | 35 A |
| 热阻 | 0.25°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 系列 | 1N1184 |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
Datasheet
PDF Datasheet 数据手册内容提取
1N1183 thru 1N1187R Silicon Standard V = 50 V - 300 V RRM Recovery Diode I = 35 A F Features • High Surge Capability DO-5 Package • Types from 50 to 300 V V RRM • Not ESD Sensitive A C Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. C A Stud Stud (R) Maximum ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified j Parameter Symbol Conditions 1N1183 (R) 1N1184 (R) 1N1186 (R) 1N1187 (R) Unit Repetitive peak reverse voltage V 50 100 200 300 V RRM RMS reverse voltage V 35 70 140 210 V RMS DC blocking voltage V 50 100 200 300 V DC Continuous forward current I T ≤ 140 °C 35 35 35 35 A F C Surge non-repetitive forward I T = 25 °C, t = 8.3 ms 595 595 595 595 A current, Half Sine Wave F,SM C p Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions 1N1183 (R) 1N1184 (R) 1N1186 (R) 1N1187 (R) Unit Diode forward voltage V I = 35 A, T = 25 °C 1.2 1.2 1.2 1.2 V F F j V = 50 V, T = 25 °C 10 10 10 10 μA Reverse current I R j R V = 50 V, T = 140 °C 10 10 10 10 mA R j Thermal characteristics Thermal resistance, junction - R 0.25 0.25 0.25 0.25 °C/W case thJC 1 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1183.pdf DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 1/4 –28 UNF B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45
A C C A Stud Stud (R) 1N1183 thru 1N1187R 2 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1183.pdf DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 1/4 –28 UNF B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45
A C C A Stud Stud (R) 1N1183 thru 1N1187R Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 1/4 –28 UNF B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45 3 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1183.pdf