半导体分立器件

电子产品根据其导电性能分为"导体"和"绝缘体"半导体介于"导体"和"绝缘体"之间,半导体元器件以封装形式又分为“分立”和“集成”如：二极管、三极管、晶体管等。

中国半导体分立器件型号的命名方法

中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成:

第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数目. 例如:3AX81-81的 3

第二部分:用汉语拼音字母表示器件的极性和材料. 例如:3AX81-81的 A

第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型. 例如:3AX81-81的 X

第四部分:用阿拉伯数字表示器件的序号. 例如:3AX81-81的 81

第五部分:用汉语拼音字母表示规格. 例如:3AX81-81的 -81

但是,场效应晶体管,半导体特殊器件,复合管,PIN型二极管(P区和N区之间夹一层本征半导体或低浓度杂质半导体的二极管.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存储效应和I层中的渡越时间效应,二极管失去整流作用,而成为阻抗元件,并且,其阻抗值的大小随直流偏置而改变)和激光器件等型号的组成只有第三,第四和第五部分.例如:CS2B是表示:B规格2号场效应管。

中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义

用数字表示器件的有效电极数目

用汉语拼音字母表示器件俄材料和极性

用汉语拼音字母表示器件的类型

用阿拉伯数字表示器件的序号

用汉语拼音字母表示规格

二极管

A

N型,锗材料 P 普通管 D 低频大功率管

B P型,锗材料 V 微波管 A 高频大功率管

C N型,硅材料 W 稳压管 T 半导体闸流管

D P型,硅材料 C 参量管 Y 体效应器件

三极管

A

PNP型,锗材料 Z 整流管 B 雪崩管

B NPN型,锗材料 L 整流堆 J 阶跃恢复管

C PNP型,硅材料 S 隧道管 CS 场效应管

D NPN型,硅材料 N 阻尼管 BT 半导体特殊器件

U 光电器件 FH 复合管

E 化合物材料 K 开关管 PIN PIN型管

X 低频小功率管

JG 激光器件

G 高频小功率管

美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

温馨提示：日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大，越是近期产品。

第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

半导体分立器件是电力电子产品的基础之一，也是构成电力电子变化装置的核心器件之一，主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用范围广、用量大等特点，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。