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联合碳化硅(UnitedSiC)

联合碳化硅(UnitedSiC)

词条创建时间:2022-01-05浏览次数:2070

UnitedSiC 开发创新的碳化硅 FET 和二极管功率半导体器件,为电动汽车 (EV) 充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动系统以及电信/服务器电源、变速电机驱动系统和太阳能 PV 逆变器带来了 SiC 的效率和性能。

联合碳化硅(UnitedSiC)公司简介

使用我们的创新设备技术加速 SiC 的采用,使我们的客户能够为社会最先进的应用,特别是在移动、IT 基础设施和可再生能源领域提供行业变革水平的能效。

联合碳化硅(UnitedSiC)

碳化硅成为主流

人类正在经历一场关于我们如何产生、转换、分配和使用电力的革命。随着世界从化石燃料转向更可再生、更节能和电气化的能源生态系统,电力转换过程的效率变得至关重要。幸运的是,过去几十年对宽带隙研究的投资现在已经形成了成熟的 SiC 功率器件供应链,从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。

致力于技术领先

我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径来升级他们的传统电源设计或以最少的努力在他们的新设计中获得最高的功率密度。我们的技术支持直接替代 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的 Si 超级结,并与任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求直接兼容。此外,我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的 Qrr 过温、近 5V 的 EMI 抗扰阈值电压和卓越的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。

利用增长市场的大趋势

UnitedSiC FET 在全球快速增长的市场中得到广泛认可,特别是在高压 DC-DC 电源转换拓扑(如 LLC 和移相全桥)以及 AC-DC 应用(如 6 开关 SiC 解决方案替代维也纳整流器和图腾柱 PFC。在快速增长的 EV 电机驱动市场中,UnitedSiC 的行业最高性能、最低 R(DS)-on FET,额定电压为 650 V 和 1200 V,正迅速成为 EV 电源设计人员的首选产品。SiC FET 是性能和可靠性改进的主要贡献者,可降低下一代数据中心的整体系统成本。此外,我们为工业车辆提供重要的充电时间和充电时间优势。最后,我们卓越的效率等级使 UnitedSiC 产品成为太阳能电池阵列技术的完美解决方案。鉴于这种类型的设计师接受度,很明显碳化硅器件正在成为这些快速增长市场的关键推动因素之一。

联合碳化硅(UnitedSiC)发展历程

SiC的前景1999年,罗格斯大学的一个研究小组成立了UnitedSiC。这当时碳化硅(SiC)技术还处于初级阶段这些设备是在研究实验室里用缩略尺寸的塑料片制造的原文如此。该团队开发了许多用于该设备的基本碳化硅工艺技术公司的外部铸造合作伙伴。

2009年,一群相信广电前景的成功企业家带隙材料,尤其是碳化硅收购了该公司。即使在那时,世界仍然是如此总体而言,碳化硅市场规模相对较小,但投资回报率较高基于碳化硅基器件预计市场的机会。此外更大规模的制造技术有可能降低成本与碳化硅解决方案相关的成本。

2010年,UnitedSiC在新泽西州普林斯顿附近建造了一个试产洁净室,以将碳化硅工艺提升到可直接安装在商业铸造厂。此时,UnitedSiC成为一家无晶圆厂的公司,专注于他们在产品设计、研发和客户支持方面的资源已被证实的行业战略,允许快速、高效的公司增长。

不断增长的碳化硅制造能力2011年,UnitedSiC工艺在一家商业铸造厂成功安装使用当时可用的最大基板(4”)。产生的产品基于采用UnitedSiC核心JFET技术的低成本开关解决方案。什么时候结合适当设计的硅MOSFET,UnitedSiC能够制造1200 V电压下1/2模具尺寸且小于1/3模具尺寸的设备与最接近的竞争对手相比,尺寸为650 V。这不仅带来了显著提高设备性能,帮助客户实现新的目标终端系统的性能水平,但也有助于推动公司的盈利能力。它是这项技术将UnitedSiC置于现有10亿美元Si的路线图上超级结市场。

2014年,UnitedSiC启动了其先进碳化硅工艺的安装2017年国内6“铸造和装运AEC-Q101合格产品。移动未来,强大的铸造伙伴关系将使UnitedSiC能够通过支持高容量硅晶圆厂的碳化硅工艺。

2020年,UnitedSiC产品组合正在快速扩张,现在提供全范围的电压,RDS(on)级别处于行业最佳水平7欧姆,封装范围从D2PAK、到-220、到-247等多种其他的。2020年还包括引入UnitedSiC的第4代SiC技术,能够在750V电压下引入新的场效应晶体管,同时突破性的性能级别,旨在加快WBG在汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用。

在2021期间,UNITEDSIC首次推出了SiC-FET器件选择工具FET射流。计算器该在线工具可帮助电源设计人员在不同的环境中评估UnitedSiC设备多种电路拓扑结构,并专注于最有前途的解决方案快速自信地设计决策。此外,9个新的750V Gen 4设备介绍了,包括在6欧姆,是其最接近的竞争对手的一半。

2021年11月3日,Qorvo宣布收购UnitedSiC UnitedSiC成为qvo基础设施和国防产品(IDP)的一部分业务。UnitedSiC技术,加上Qorvo的补充可编程电源管理产品和世界一流的供应链能力,将使UnitedSiC提供卓越的电力效率水平最先进的应用程序。

碳化硅的未来

世界各地的客户现在都在使用UnitedSiC FET、JFET和肖特基二极管器件在新型电动汽车(EV)充电器,AC-DC和DC-DC电源电源、固态断路器、变速电机驱动器和太阳能光伏逆变器。因此,这些SiC器件使我们的客户能够实现卓越的终端产品性能,确保其在终端市场的成功。

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型号 库存 价格
560085-0101 80900 ¥0.093
BAT54XV2T1G 30000 ¥1.1
08-70-1039 20200 ¥0.083
43030-0001 10980 ¥0.083
SG2525AP013TR 7500 ¥3.46
M24LR64E-RMN6T/2 5000 ¥12.71
MAX5395LATA+T 3290 ¥6.64
MIC5504-3.3YM5-TR 3085 ¥0.78
BAT54XV2T1G 2740 ¥0.24
MMBD914LT1G 500 ¥0.072

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