瓷片电容

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

 瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.高频瓷介

 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。

 2.低频瓷介

 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

①1000V-6000V高频瓷片电容

高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中,因此其在稳定性方面要求是比较高的,如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容。最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强,如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容。

②50V以下低频瓷片电容

低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中,在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高。尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的,否则很有可能会被电压直接击穿。

③规格一和规格二差异比较

二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断。一般来说可以耐受高压,绝缘性比较好,而且比较可靠,运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容。而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低,多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中。

④瓷片电容规格快速识别方法

一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容,因为其容量会比较大,通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质。其次就是在滤波电容中,其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好,但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况。所以针对瓷片电容规格的识别来说,可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容,同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法。

瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同,分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法(nF),1纳法=1000皮法(pF)。

 容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明,如10μF/16V;

 容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;

 字母表示法:2m=2000μF,1P2=1.2PF,2n=2000PF;

 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。

 例如:211表示标称容量为210pF。

214表示标称容量为21x10(4)pF。

 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。例如:219表示标称容量为21x(10-1)pF=2.1pF。

瓷片电容优点:容量损耗随温度频率肯高稳定性;适合于高电压极长期工作可靠性,高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。缺点就是容量比较小。

瓷片电容就是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器,要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

1.MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。