单片晶体滤波器

标称频率：通常是指Fig.1中中间频率的标准值，用于频率参考的标准。

通带宽度：这是一个频率间隔，这时的相对衰耗等于或低于指定的衰耗值

带内波动：这是通带内中达到最高衰耗时，最大和最小损耗之间的最大差值

插入损耗：这是区分滤波器插入和未插入时的衰耗值的，它可分为最小损耗和恒定损耗。最小损耗是指插入损耗的最小值，恒定损耗是指在标称频率时的损耗。两者都可作为衰耗的参考标准，通常将最小损耗作为标准。

阻带宽度：指相对衰耗等于或高于指定值时，此时的频率间隔值。

固定衰耗和带宽：这是指在衰耗带宽中一定会存在的相对损耗和频率间隔。

终端阻抗：这是电源阻抗或负载阻抗对滤波器自身在造成的阻抗值，它通常被指定为电阻和等效电阻。

耦合电容：为4极滤波器原理前后连接的电容。

平衡型和不平衡型：平衡型是指一对终端的任何一个都不会连接到容器中；不平衡型则是指一对终端中的其中一个会连接到容器上。

衰减曲线：尽管根据滤波器设计因数不同有很多衰减曲线，这些因数如：特殊功能，位置，衰减电极数量。基本的衰减特性已在Fig.3中被做为典型例子表现了出来，此时带宽特性表现为统一带

※ 一只石英晶体滤波器所呈现的最显着的特性是通带滤波器还是间歇滤波器，取决于晶体谐振器所用的相关部件。

晶体滤波器中最常用的通带滤波器的一般特性我们将在这里做以下解释：

适用范围：通带滤波器根据外表基本结构不同可以分为2类：

※“窄通带滤波器”，其元件只由共鸣器和电容组成，并且设计的通带宽度为中心频率的0.005% ~ 0.6% 。最大带宽取决于晶体谐振器的电容比，精密的限定主要取决于谐振器的Q 值和频率的稳定性。

线圈和电容以串联或并联的形式与谐振器的各元件相连接，带宽的最底限度取决于线圈Q值的稳定性。另一方面，谐振器的电容比和表象特性易在最高限度时出现问题，它取决于线圈或变压器的稳定性。

※“中等通带滤波器”是由很大部分的中间范围带宽的滤波器人工改造而成，或是由部分上述的窄通带滤波器组成的。

线圈在这些滤波器中被要求来抵消电路中谐振器和电容的作用。带宽的最大限度值与晶体的电容比和线圈的Q 值相关。最低限度的决定条件与窄通带滤波器的相同。

Fig.2显示了带通滤波器在通带卡和标称频率相关的一般结构范围。

严格来说，可实行的范围将会由几个条件的变化而不同，如特殊的要求，终端衰耗，带内波动，尺寸和价格等。

下面的图表显示了对单片晶体滤波器的特性的测试电路图。

图分为电容性类和感应性类。电容性类里，滤波器的特性根据特定的电容不同来测量；感应性类里，负载电容调节电路用来补偿分布式电容和负极电容。滤波器特性的确定要求负载电容调整电路调整为不用的特定值。